Книга «Технология полупроводникового кремния»

Книга «Технология полупроводникового кремния»

Название: Технология полупроводникового кремния
Автор: Реньян В.Р.
Издательство: Металлургия
Год: 1969
Страниц: 336
Язык: русский
Аннотация: Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т. д.). Предназначается для инженеров, конструкторов, проектировщиков металлургической и электронной промышленности. Может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области получения и использования кремния.

Книга «Технология полупроводникового кремния»
Содержание:
МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРЕМНИЯ
1.Ранние методы
2.Обзор современных методов
3.Восстановление тетрахлорида кремния цинком
4.Разложение силана
5.Иодидный процесс
6.Восстановление или разложение тетрахлорида кремния и трихлорсилана
ГЛАВА III
ЛИТЬЕ КРЕМНИЯ
1.Плавление в литейной форме
2.Литье в форму
3.Контурное литье
ГЛАВА IV ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ
1.Классификация условий выращивания
2.Виды кристаллизации
3.Кристаллизация из однокомпонентной системы
4.Выращивание из многокомпонентной системы
5.Метод Чохральского
6.Поведение примесей при выращивании кристаллов из расплава
7.Некоторые специальные методы
8.Рост из низкотемпературных расплавов
9.Выращивание кристаллов в системе пар — жидкость — твердое тело
10.Эпитаксиальное осаждение из паровой фазы
ГЛАВА V
ОРИЕНТИРОВКА И ФОРМА КРИСТАЛЛОВ
1.Структура кристаллов
2.Структура кремния
3.Форма кристаллов
4.Грубая оценка ориентировки
5.Рентгеновский метод ориентировки
6.Оптическая ориентировка
7.Двойникование
8.Выявление двойников
9.Границы зерен
10.Линеаризованные структуры
ГЛАВА VI ЛЕГИРОВАНИЕ
1.Влияние примесей на электросопротивление
2.Влияние коэффициента распределения примесей на сопротивление кремния
3.Методы легирования
4.Однородность и выход кристаллов
ГЛАВА VII
ДИФФУЗИЯ
1.Элементарная теория
2.Диффузия вдоль границ зерен
3.Диффузия под воздействием поля
4.Числовые расчеты
5.Проведение процесса диффузии
6.Коэффициенты диффузии
ГЛАВА VIII
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
1.Удельное сопротивление
2.Подвижность носителей
3.Дрейфовая подвижность
4.Постоянная Холла и холловская подвижность
5.Влияние на сопротивление сильного электрического поля
ГЛАВА IX ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
1.Коэффициент поглощения
2.Фотопроводимость
3.Коэффициент отражения
4.Показатель преломления
5.Излучательная способность
6.Световая эмиссия
7.Эффект Тиндаля
8.Двойное лучепреломление
9.Оптические элементы
10.Оптические покрытия
11. Оптическая шлифовка и полировка
ГЛАВА X ОБЩИЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА КРЕМНИЯ
1.Механические свойства
2.Коэффициент термического расширения
3.Теплопроводность
4.Поверхностная энергия
5.Механическая обработка кремния
ГЛАВА XI
ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ
Бинарные системы
Влияние высокой концентрации примесей на свойства кремния